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张海山

2016-07-08 文字:  点击:[]

   

 

姓名:张海山

职称:副教授 硕士生导师

澳门第一娱乐娱城官网 卓越楼1131

呼和浩特市大学西路235010021

电话:18814090074

Email: hszhang@imu.edu.cn


 

 

 

教育工作经历

2014.09-2019.06 华南理工大学 物理电子学 博士(硕博连读)

2017.02-2019.01 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 访问学习

2019.07-2022.12 澳门第一娱乐娱城官网 澳门第一娱乐娱城官网 讲师

2023.01-至今 澳门第一娱乐娱城官网 澳门第一娱乐娱城官网 副教授

 

 

教学

承担本科生《大学物理》、《大学物理实验》、《数学物理方法》教学工作

 

 

培养研究生情况

每年拟在光电信息工程专业招收1~2名硕士研究生,欢迎热爱物理、勤奋努力学生报考

 

研究领域

 

一、研究兴趣

半导体以及新能源材料的缺陷与掺杂理论研究

二、主持科研项目

1. 国家自然科学基金,资助号12004204,经费24万,起止时间:2021.01-2023.12

2. 内蒙古自治区自然科学基金,资助号2020BS01003,经费6.5万,起止时间:2020.07-2022.12

3. 澳门第一娱乐娱城官网高层次人才科研启动基金,经费27万,起止时间:2020.01-2022.12

 

代表性论文

[1] Q. J. Wang, H. S. Zhang,* L. Shi, and J. Gong.* Origin of Ga vacancy-related YL center in n-type GaN: A first-principles study. Journal of Luminescence, 2023, 255, 119561.

[2] H. S. Zhang, L. Shi.* Z. H. Liu, G. Z. Xu, W. T. Song, Y. K. Wang, Z. J. Xu, X. B. Yang, Y. J. Zhao, X. L. Yang, B. Shen, L. W. Wang,* and K. Xu.* Theoretical simulation and experimental verification of the competition between different recombination channels in GaN semiconductors. Journal of Materials Chemistry C, 2022, 10(36), 13191.

[3] H. S. Zhang, J. Gong,* and L. Shi.* Antisite Defect SiC as a Source of the DI Center in 4H-SiC. Physica Status Solidi– Rapid Research Letters, 2023, 17, 2200239

[4] S. Wu, X. L Yang,* H. S. Zhang, L. Shi, Q. Zhang, Q. Shang, Z. Qi, Y. Xu, J. Zhang, N. Tang, X. Wang, W. Ge, K. Xu, and B. Shen.* Unambiguous Identification of Carbon Location on the N Site in Semi-insulating GaN. Physical Review Letters, 2018, 121(14), 145505.

[5] H. S. Zhang, L. Shi,* X. B. Yang, Y. J. Zhao, K. Xu, and L. W. Wang.* First-Principles Calculations of Quantum Efficiency for Point Defects in Semiconductors: The Example of Yellow Luminance by GaN: CN+ON and GaN:CN. Advanced Optical Materials, 2017, 5(21), 1700404.

[6] H. S. Zhang, F. Kang, Y. J. Zhao, M. Peng, D. Y. Lei, and X. B. Yang.* The role of oxygen defects in a bismuth doped ScVO4 matrix: tuning luminescence by hydrogen treatment. Journal of Materials Chemistry C, 2017, 5(2), 314.

[7] Tingting Shi,* H. S. Zhang, Weiwei Meng, Qiang Teng, Meiyue Liu, Xiaobao Yang, Yanfa Yan, Hin-Lap Yip* and Yu-Jun Zhao.* Effects of Organic Cations on the Defect Physics of Tin Halide Perovskites. Journal of Materials Chemistry A, 2017,5,15124

 

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